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参数资料
| 型号： | PESD36VS2UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 36V |
| 电压 - 击穿： | 40V |
| 功率（瓦特）： | 160W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6840-6 |
NXP Semiconductors
PESD36VS2UT
Low capacitance unidirectional double ESD protection diode
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
30
kV
(contact discharge)
machine model
MIL-STD-883 (human
-
-
400
8
V
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 to pin 2.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
PESD36VS2UT_1
IEC 61000-4-5
IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 July 2009
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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