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参数资料
| 型号： | PESD3V3L4UF,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE QUAD ESD PROTECTION 6-XSON |
| 标准包装： | 5,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.32V |
| 功率（瓦特）： | 30W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-XSON，SOT886（1.45x1） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESDxL4UF/G/W
Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
Table 6. Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
I ZSM
non-repetitive peak reverse square wave;
current
t p = 1 ms
PESD3V3L4UF
-
0.9
A
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
-
0.8
A
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
P ZSM
non-repetitive peak reverse square wave;
-
6
W
Per device
power dissipation
t p = 1 ms
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
[3]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
For PESDxL4UF measured from pin 1, 3, 4 or 6 to pin 2 or 5.
For PESDxL4UG and PESDxL4UW measured from pin 1, 3, 4 or 5 to pin 2.
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1][2][3]
-
20
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
10
kV
body model)
[1]
[2]
[3]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
For PESDxL4UF measured from pin 1, 3, 4 or 6 to pin 2 or 5.
For PESDxL4UG and PESDxL4UW measured from pin 1, 3, 4 or 5 to pin 2.
Table 8.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
PESDXL4UF_G_W_4
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 28 February 2008
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLE-125-01-G-DV-K-TR | CONN SKT 1.27MM 50POS DUAL SMD |
| 3-1445050-0 | CONN HEADER 3MM 10POS TIN T/H |
| 3-1445093-0 | CONN HEADER 3MM 10POS GOLD T/H |
| 1-292250-1 | CONN HEADER 11POS R/A PCB TIN |
| 953138-2000-AR-PR | CONN SOCKET 38POS 2MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3L4UG | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOT-353 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOT-353 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:UniDirect ESD protect diode,PESD3V3L4UG |
| PESD3V3L4UG T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD Suppressor TVS 20KV 5-Pin SOT-353 T/R |
| PESD3V3L4UG,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 3.3V QUAD ESD PROTCT RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3L4UG115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 6W10V SOT-353 |
| PESD3V3L4UW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOT-665 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOT-665 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOT-665; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3.3V; Breakdown Voltage Min:5.32V; Breakdown Voltage Max:5.88V; Clamping Voltage Vc Max:5.6V; Peak Pulse Current Ippm:3A; Diode Case Style:SOT-665; No. ;RoHS Compliant: Yes |
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