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参数资料
| 型号： | PESD3V3L4UF,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE QUAD ESD PROTECTION 6-XSON |
| 标准包装： | 5,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.32V |
| 功率（瓦特）： | 30W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-XSON，SOT886（1.45x1） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESDxL4UF/G/W
Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
10
I ZSM
(A)
006aab134
10 2
P ZSM
(W)
006aab135
(1)
1
10
(1)
(2)
(2)
10 ? 1
10 ? 2
10 ? 1
1
10
1
10 ? 2
10 ? 1
1
10
t p (ms)
T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L4UF; PESD3V3L4UG; PESD3V3L4UW
(2) PESD5V0L4UF; PESD5V0L4UG; PESD5V0L4UW
Fig 3. Non-repetitive peak reverse current as a
function of pulse duration; maximum values
t p (ms)
T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L4UF; PESD3V3L4UG; PESD3V3L4UW
(2) PESD5V0L4UF; PESD5V0L4UG; PESD5V0L4UW
Fig 4. Non-repetitive peak reverse power dissipation
as a function of pulse duration; maximum
values
26
006aab136
10
006aab137
C d
(pF)
22
I R
I R(25 ° C)
18
1
(1)
14
(2)
10
6
0
1
2
3
4
V R (V)
5
10 ? 1
? 75
? 25
25
75
125
175
T j ( ° C)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L4UF; PESD3V3L4UG; PESD3V3L4UW
(2) PESD5V0L4UF; PESD5V0L4UG; PESD5V0L4UW
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXL4UF_G_W_4
Fig 6. Relative variation of reverse current as a
function of junction temperature; typical values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 28 February 2008
7 of 17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLE-125-01-G-DV-K-TR | CONN SKT 1.27MM 50POS DUAL SMD |
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| 953138-2000-AR-PR | CONN SOCKET 38POS 2MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3L4UG | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOT-353 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOT-353 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:UniDirect ESD protect diode,PESD3V3L4UG |
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| PESD3V3L4UG115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 6W10V SOT-353 |
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