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参数资料
| 型号： | PESD5V0S1BL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT BIDIR SOD-882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.5V |
| 功率（瓦特）： | 130W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESD5V0S1BA/BB/BL
Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
I PP
T j
T amb
T stg
peak pulse power
peak pulse current
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
8/20 μ s
8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
-
? 65
? 65
130
12
150
+ 150
+ 150
W
A
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponentially decaying waveform according to IEC61000-4-5; see
Measured from pin 1 to pin 2.
Table 7.
ESD maximum ratings
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2 (contact
[1][2]
-
30
kV
capability
discharge)
HBM MIL-Std 883
-
10
kV
[1]
[2]
Measured from pin 1 to pin 2.
Table 8.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
PESD5V0S1BA_BB_BL_4
HBM MIL-STD 883; class 3
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 20 August 2009
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| PESD5V0S1BLD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE BIRDIR ESD 5V SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, BIRDIR, ESD, 5V, SOD882D |
| PESD5V0S1BLD,315 | 功能描述:ESD 抑制器 9.5 V 45 pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
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| PESD5V0S1BSF,315 | 功能描述:ESD 抑制器 8B MCU 10B A/D PWM BIDIRECTIONAL ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| PESD5V0S1BSF_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low profile bidirectional low capacitance ESD protection diode |
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