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参数资料
| 型号： | PESD5V0S1BL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT BIDIR SOD-882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.5V |
| 功率（瓦特）： | 130W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESD5V0S1BA/BB/BL
Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse stand-off voltage
-
-
5
V
I RM
reverse leakage current
V RWM = 5 V;
-
5
100
nA
V (CL)R
V (BR)
r dif
C d
clamping voltage
breakdown voltage
differential resistance
diode capacitance
I PP = 1 A
I PP = 12 A
I R = 1 mA
I R = 1 mA
V R = 0 V; f = 1 MHz;
[1][2]
[1][2]
-
-
5.5
-
-
-
-
-
-
35
10
14
9.5
50
45
V
V
V
?
pF
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponentially decaying waveform according to IEC61000-4-5; see Figure 1 .
Measures from pin 1 to pin 2.
PESD5V0S1BA_BB_BL_4
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 20 August 2009
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PESD5V0S1BLD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE BIRDIR ESD 5V SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, BIRDIR, ESD, 5V, SOD882D |
| PESD5V0S1BLD,315 | 功能描述:ESD 抑制器 9.5 V 45 pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| PESD5V0S1BSF | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD 5V BIDIR 35PF SOD962 |
| PESD5V0S1BSF,315 | 功能描述:ESD 抑制器 8B MCU 10B A/D PWM BIDIRECTIONAL ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| PESD5V0S1BSF_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low profile bidirectional low capacitance ESD protection diode |
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