- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录241 > PESD5V0S1UJ,115 (NXP Semiconductors)DIODE ESD UNI-DIR 5.0V SOD-323F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | PESD5V0S1UJ,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD UNI-DIR 5.0V SOD-323F |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.2V |
| 功率（瓦特）： | 890W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-90，SOD-323F |
| 供应商设备封装： | SOD-323F |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESD5V0S1UJ; PESD12VS1UJ
Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
9. Test information
9.1 Quality information
This product has been quali?ed in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard Q101 - Stress test quali?cation for discrete semiconductors, and is
suitable for use in automotive applications.
10. Package outline
1.35
1.15
1
0.5
0.3
0.80
0.65
2.7
2.3
1.8
1.6
2
Dimensions in mm
0.40
0.25
0.25
0.10
04-09-13
Fig 10. Package outline PESDxS1UJ (SOD323F/SC-90)
11. Packing information
Table 11. Packing methods
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code. [1]
Type number
Package
Description
Packing quantity
3000
10000
PESD5V0S1UJ SOD323F
4 mm pitch, 8 mm tape and reel
-115
-135
PESD12VS1UJ
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
[1]
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 June 2009
10 of 14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PESD5V0S1ULD,315 | DIODE ESD PROTECTION SOD-882 |
| PESD5V0S2BT,215 | DIODE BIDIR ESD PROTECT SOT23 |
| PESD5V0S2UAT,215 | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| PESD5V0S4UD,115 | DIODE ARRAY ESD 5V 6-TSOP |
| PESD5V0S4UF,115 | DIODE QUAD ESD PROTECTION 6XSON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD5V0S1UL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:ESD protection diodes in a SOD882 package |
| PESD5V0S1UL T/R | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SNGLE UNI ESD DIODES RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5V0S1UL,315 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SNGLE UNI ESD DIODES RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5V0S1UL315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD PROTECTION UNI SOD-882 |
| PESD5V0S1ULD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE UNIDIR ESD 5V SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, UNIDIR, ESD, 5V, SOD882D |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。