参数资料
型号: PESD5V2S2UT,215
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 7/13页
文件大小: 0K
描述: DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23
产品培训模块: ESD Protection Diodes
ESD Standards and Products
标准包装: 3,000
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.4V
功率(瓦特): 260W
电极标记: 2 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes in SOT23
package
Product data sheet
PESDxS2UT series
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa148
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa149
(2)
80
10
(3)
40
0
1
2
3
4
V R (V)
5
0
0
5
10
15
20
V R (V)
25
(1) PESD3V3S2UT; V RWM = 3.3 V.
(2) PESD5V2S2UT; V RWM = 5 V.
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz.
(1) PESD12VS2UT; V RWM = 12 V.
(2) PESD15VS2UT; V RWM = 15 V.
(3) PESD24VS2UT; V RWM = 24 V.
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
Fig.7
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2004 Apr 15
7
voltage; typical values.
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