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参数资料
| 型号： | PH2520U |
| 英文描述： | TrenchMOS (tm) ultra low level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS（TM）超低水平场效应管 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | PH2520U |
PH2520U
TrenchMOS ultra low level FET
Rev. 01 — 02 May 2003
Product data
M3D748
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PH2520U in SOT669 (LFPAK).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Low thermal resistance
I
Low threshold voltage
I
SO8 equivalent area footprint
I
Low on-state resistance.
I
DC-to-DC converters
I
Portable appliances
I
Switched-mode power supplies
I
Notebook computers.
I
V
DS
≤
20 V
I
P
tot
≤
62.5 W
I
I
D
≤
121 A
I
R
DSon
≤
2.5 m
Table 1:
Pin
Pinning - SOT669 (LFPAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1,2,3
source (s)
SOT669 (LFPAK)
4
gate (g)
mb
mounting base;
connected to drain (d)
1
Top view
MBL286
2
3
mb
4
s
d
g
MBB076
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH270F2 | FRD MODULE |
| PH270F6 | FRD MODULE 270A/600V/trr:170nsec |
| PH2729-110M | Radar Pulsed Power Transistor， 110W |
| PH2729-120M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | FO-91VAR |
| PH2729-130M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 12.5A I(C) | FO-91VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PH2520U,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PH2520U | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 20V LFPAK |
| PH2520U115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 100A 4-SOT-669 |
| PH-25-250-1 | 制造商:Vishay Dale 功能描述:PH-25-250-1 |
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