- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录367933 > PH2520U TrenchMOS (tm) ultra low level FET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PH2520U |
| 英文描述： | TrenchMOS (tm) ultra low level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS（TM）超低水平场效应管 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | PH2520U |
Philips Semiconductors
PH2520U
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 02 May 2003
7 of 12
9397 750 11406
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aj65
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
03aj64
10-6
10-5
10-4
10-3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VGS (V)
ID
(A)
min
typ
003aaa350
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
105
Ciss
Coss
Crss
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH270F2 | FRD MODULE |
| PH270F6 | FRD MODULE 270A/600V/trr:170nsec |
| PH2729-110M | Radar Pulsed Power Transistor， 110W |
| PH2729-120M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | FO-91VAR |
| PH2729-130M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 12.5A I(C) | FO-91VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PH2520U,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PH2520U | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 20V LFPAK |
| PH2520U115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 100A 4-SOT-669 |
| PH-25-250-1 | 制造商:Vishay Dale 功能描述:PH-25-250-1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。