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参数资料
| 型号： | PHP60N06LT |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 58 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHP60N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP60N06LT, PHB60N06LT
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) =VDS/ID
DC
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
VGS/V =
ID/A
4
4.24.4
4.6
4.8
5
RDS(ON)/mOhm
1E-06
0.0001
t/s
1
100
0.001
0.01
0.1
1
10
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Zth/(K/W)
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
10
5
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.0
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
gfs/S
ID/A
January 1998
4
Rev 1.300
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB60N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP60N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| PHP65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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