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参数资料
| 型号： | PIC10F206-E/MC |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 69/94页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 512X12 8DFN |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PIC® 10F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 3 |
| 程序存储器容量： | 768B（512 x 12） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 24 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | AC164334-ND - MODULE SOCKET FOR 8L 2X3MM DFN AC163020-2-ND - ADAPTER PROGRAM PIC10F 2X3 DFN |
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AT89/83EB5114
4311C–8051–02/08
Flash Memory
As shown Figure 32, the Flash version of AT8xEB5114 implements 4 Kbytes of on-chip
program/code memory.
The Flash memory increases EPROM and ROM functionality by in-circuit electrical era-
sure and programming. Thanks to the internal charge pump, the high voltage needed for
programming or erasing Flash cells is generated on-chip using the standard VDD
voltage.
Hardware programming mode is available using specific programming tool.
AT8xEB5114 features a Flash memory containing 4 Kbytes of program memory (user
space) organized into 128 byte pages,
This Flash memory is programmable by parallel programming.
Figure 32. Flash Memory Architecture
FM0 Memory
Architecture
The Flash memory is made up of 4 blocks (see Figure 32):
–
The memory array (user space) 4 Kbytes
–
The Extra Row
–
The Hardware security bits
–
The column latch registers
User Space
This space is composed of a 4 Kbytes Flash memory organized in 32 pages of 128
bytes. It contains the user’s application code.
Extra Row (XRow)
This row is a part of flash memory and has a size of 128 bytes. The extra row may con-
tain information for boot loader usage.
Hardware security Byte
The Hardware Security Byte space is a part of flash memory and has a size of 1 byte.
The 4 MSB can be read/written by software, the 4 LSB can only be read by software and
written by hardware in parallel mode.
Column latches
The column latches, also part of flash memory, have a size of full page (128 bytes).
The column latches are the entrance buffers of the three previous memory locations
(user array, XROW and Hardware security byte).
Overview of Flash Memory
Operations
The CPU interfaces to the Flash memory through the FCON register used to:
–
Map the memory spaces in the adressable space
0FFFh
4 Kbytes
Flash memory
0000h
Hardware Security (1 byte)
Column Latches (128 bytes)
user space
Extra Row (128 bytes)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B6L-CU-S | CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W |
| PIC10F206T-I/MC | IC PIC MCU FLASH 512X12 8DFN |
| VI-B6J-CU-S | CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W |
| VI-B63-CU-S | CONVERTER MOD DC/DC 24V 200W |
| PIC10LF320-E/OT | IC MCU 8BIT 256B FLASH SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC10F206-I/MC | 功能描述:8位微控制器 -MCU 0.75KB 24B RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC10F206-I/OT | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:8BIT PIC10 RISC 0.75KB FLASH 4 - Bulk |
| PIC10F206-I/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU .75kBF 24RM 4I/O Ind Temp PDIP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC10F206T | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6-Pin, 8-Bit Flash Microcontrollers |
| PIC10F206T-E/MC | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6-Pin, 8-Bit Flash Microcontrollers |
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