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参数资料
| 型号： | PIC12F635T-E/SN |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8 |
| 文件页数： | 61/196页 |
| 文件大小： | 3291K |
| 代理商： | PIC12F635T-E/SN |
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2005 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41232B-page 151
PIC12F635/PIC16F636/639
D020
IPD
Power-down Base
Current(4)
—
0.99
TBD
nA
2.0
WDT, BOD,
Comparators, VREF
and T1OSC disabled
—
1.2
TBD
nA
3.0
—
2.9
TBD
nA
5.0
D021
ΔIWDT
—
0.3
TBD
μA
2.0
WDT Current(3)
—1.8
TBD
μA3.0
—8.4
TBD
μA5.0
D022A
ΔIBOD
—
58
TBD
μA
3.0
BOD Current(3)
—109
TBD
μA5.0
D022B
ΔILVD
—
TBD
μA
2.0
PLVD Current
—TBD
TBD
μA3.0
—TBD
TBD
μA5.0
D023
ΔICMP
—
3.3
TBD
μA
2.0
Comparator Current(3)
—6.1
TBD
μA3.0
—11.5
TBD
μA5.0
D024
ΔIVREF
—58
TBD
μA2.0
CVREF Current(3)
—85
TBD
μA3.0
—138
TBD
μA5.0
D025
ΔIT1OSC
—
4.0
TBD
μA
2.0
T1OSC Current(3)
—4.6
TBD
μA3.0
—6.0
TBD
μA5.0
15.2
DC Characteristics: PIC12F635/PIC16F636-I (Industrial) (Continued)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
Param
No.
Sym
Device Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Conditions
VDD
Note
Legend: TBD = To Be Determined
Data in ‘Typ’ column is at 5.0V, 25
°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
The test conditions for all IDD measurements in Active Operation mode are: OSC1 = external square
wave, from rail-to-rail; all I/O pins tri-stated, pulled to VDD; MCLR = VDD; WDT disabled. MCU only, Analog
Front-End not included.
2:
The supply current is mainly a function of the operating voltage and frequency. Other factors, such as I/O
pin loading and switching rate, oscillator type, internal code execution pattern and temperature, also have
an impact on the current consumption. MCU only, Analog Front-End not included.
3:
The peripheral current is the sum of the base IDD or IPD and the additional current consumed when this
peripheral is enabled. The peripheral
Δ current can be determined by subtracting the base IDD or IPD
current from this limit. Max values should be used when calculating total current consumption.
4:
The power-down current in Sleep mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is
measured with the part in Sleep mode, with all I/O pins in high-impedance state and tied to VDD.
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参数描述 |
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| PIC12F635TI/MFQTP | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8/14-PIN FLASH-BASED, 8-BIT CMOS MICROCONTROLLERS WITH NANOWATT TECHNOLOGY |
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