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参数资料
型号： PIC12F635T-E/SN
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PDSO8
封装： 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
文件页数： 66/196页
文件大小： 3291K
代理商： PIC12F635T-E/SN
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PIC12F635/PIC16F636/639
DS41232B-page 156
Preliminary
2005 Microchip Technology Inc.
15.5
DC Characteristics:
PIC16F639-I (Industrial), PIC16F639-E (Extended)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ Max
Units
Conditions
D001
VDD
Supply Voltage
2.0
—
3.6
V
FOSC
≤ 10 MHz
D001A
VDDT
Supply Voltage (AFE)
2.0
—
3.6
V
Analog Front-End VDD voltage. Treated as
VDD in this document.
D002
VDR
RAM Data Retention
Voltage(1)
1.5*
—
V
Device in Sleep mode
D003
VPOR
VDD Start Voltage to
ensure internal Power-on
Reset signal
—VSS
—V
See Section 12.3 “Power-on Reset” for
details.
D003A
VPORT
VDD Start Voltage (AFE)
to ensure internal Power-
on Reset signal
—
1.8
V
Analog Front-End POR voltage.
D004
SVDD
VDD Rise Rate to ensure
internal Power-on Reset
signal
0.05*
—
V/ms
See Section 12.3 “Power-on Reset” for
details.
D005
VBOD
Brown-out Detect
—2.1
—
V
D006
RM
Turn-on Resistance or
Modulation Transistor
—
100
Ohm
VDD = 3.0V
D007
RPU
Digital Input Pull-Up
Resistor
CS, SCLK
50
200
300
kOhm VDD = 3.6V
D008
IAIL
Analog Input Leakage
Current
LCX, LCY, LCZ
LCCOM
—
±1
μA
VDD = 3.6V, VSS
≤ VIN ≤ VDD, tested at
Sleep mode
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 3.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
This is the limit to which VDD can be lowered in Sleep mode without losing RAM data.
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