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参数资料
| 型号： | PIC16LF1933-I/MV |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/295页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 7KB FLASH 28UQFN |
| 产品培训模块： | 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 标准包装： | 91 |
| 系列： | PIC® XLP™ 16F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 32MHz |
| 连通性： | I²C，LIN，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 25 |
| 程序存储器容量： | 7KB（4K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 11x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-UFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页
PIC16(L)F1933
DS41575B-page 110
Preliminary
2011-2012 Microchip Technology Inc.
11.4
Modifying Flash Program Memory
When modifying existing data in a program memory
row, and data within that row must be preserved, it must
first be read and saved in a RAM image. Program
memory is modified using the following steps:
1.
Load the starting address of the row to be
modified.
2.
Read the existing data from the row into a RAM
image.
3.
Modify the RAM image to contain the new data
to be written into program memory.
4.
Load the starting address of the row to be rewrit-
ten.
5.
Erase the program memory row.
6.
Load the write latches with data from the RAM
image.
7.
Initiate a programming operation.
8.
Repeat steps 6 and 7 as many times as required
to reprogram the erased row.
11.5
User ID, Device ID and
Configuration Word Access
Instead of accessing program memory or EEPROM
data memory, the User ID’s, Device ID/Revision ID and
Configuration Words can be accessed when CFGS = 1
in the EECON1 register. This is the region that would
be pointed to by PC<15> = 1, but not all addresses are
accessible. Different access may exist for reads and
writes. Refer to Table 11-2.
When read access is initiated on an address outside the
parameters listed in Table 11-2, the EEDATH:EEDATL
register pair is cleared.
TABLE 11-2:
USER ID, DEVICE ID AND CONFIGURATION WORD ACCESS (CFGS = 1)
EXAMPLE 11-3:
CONFIGURATION WORD AND DEVICE ID ACCESS
Address
Function
Read Access
Write Access
8000h-8003h
User IDs
Yes
8006h
Device ID/Revision ID
Yes
No
8007h-8008h
Configuration Words 1 and 2
Yes
No
* This code block will read 1 word of program memory at the memory address:
*
PROG_ADDR_LO (must be 00h-08h) data will be returned in the variables;
*
PROG_DATA_HI, PROG_DATA_LO
BANKSEL
EEADRL
; Select correct Bank
MOVLW
PROG_ADDR_LO
;
MOVWF
EEADRL
; Store LSB of address
CLRF
EEADRH
; Clear MSB of address
BSF
EECON1,CFGS
; Select Configuration Space
BCF
INTCON,GIE
; Disable interrupts
BSF
EECON1,RD
; Initiate read
NOP
; Executed (See Figure 11-1)
NOP
; Ignored (See Figure 11-1)
BSF
INTCON,GIE
; Restore interrupts
MOVF
EEDATL,W
; Get LSB of word
MOVWF
PROG_DATA_LO
; Store in user location
MOVF
EEDATH,W
; Get MSB of word
MOVWF
PROG_DATA_HI
; Store in user location
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC16LF1936-I/MV | IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28UQFN |
| PIC16LF1937-E/MV | IC PIC MCU FLASH 512KX14 40UQFN |
| PIC16LF1939-I/P | IC MCU 8BIT FLASH 40-DIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC16LF1933T-I/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF1933T-I/MV | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB FL 256BRAM 256B EE LCD nanoWatt XLP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF1933T-I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF1933T-I/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF1934-E/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash, 256B RAM 256B EE LCD 1.8-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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