收藏本站
参数资料
型号： PIC16LF1933-I/MV
厂商： Microchip Technology
文件页数： 7/295页
文件大小： 0K
描述： IC MCU 8BIT 7KB FLASH 28UQFN
产品培训模块： 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
标准包装： 91
系列： PIC® XLP™ 16F
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 32MHz
连通性： I²C，LIN，SPI，UART/USART
外围设备： 欠压检测/复位，LCD，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 25
程序存储器容量： 7KB（4K x 14）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 256 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
数据转换器： A/D 11x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 28-UFQFN 裸露焊盘
包装： 管件
第1页第2页第3页第4页第5页第6页当前第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页
PIC16(L)F1933
DS41575B-page 102
Preliminary
2011-2012 Microchip Technology Inc.
11.2
Using the Data EEPROM
The data EEPROM is a high-endurance, byte
addressable array that has been optimized for the
storage of frequently changing information (e.g.,
program variables or other data that are updated
often). When variables in one section change
frequently, while variables in another section do not
change, it is possible to exceed the total number of
write cycles to the EEPROM without exceeding the
total number of write cycles to a single byte. Refer to
Section 30.0 “Electrical Specifications”. If this is the
case, then a refresh of the array must be performed.
For this reason, variables that change infrequently
(such as constants, IDs, calibration, etc.) should be
stored in Flash program memory.
11.2.1
READING THE DATA EEPROM
MEMORY
To read a data memory location, the user must write the
address to the EEADRL register, clear the EEPGD and
CFGS control bits of the EECON1 register, and then
set control bit RD. The data is available at the very next
cycle, in the EEDATL register; therefore, it can be read
in the next instruction. EEDATL will hold this value until
another read or until it is written to by the user (during
a write operation).
EXAMPLE 11-1:
DATA EEPROM READ
11.2.2
WRITING TO THE DATA EEPROM
MEMORY
To write an EEPROM data location, the user must first
write the address to the EEADRL register and the data
to the EEDATL register. Then the user must follow a
specific sequence to initiate the write for each byte.
The write will not initiate if the above sequence is not
followed exactly (write 55h to EECON2, write AAh to
EECON2, then set the WR bit) for each byte. Interrupts
should be disabled during this code segment.
Additionally, the WREN bit in EECON1 must be set to
enable write. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM due to errant (unexpected)
code execution (i.e., lost programs). The user should
keep the WREN bit clear at all times, except when
updating EEPROM. The WREN bit is not cleared
by hardware.
After a write sequence has been initiated, clearing the
WREN bit will not affect this write cycle. The WR bit will
be inhibited from being set unless the WREN bit is set.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the EE Write Complete
Interrupt Flag bit (EEIF) is set. The user can either
enable this interrupt or poll this bit. EEIF must be
cleared by software.
11.2.3
PROTECTION AGAINST SPURIOUS
WRITE
There are conditions when the user may not want to
write to the data EEPROM memory. To protect against
spurious EEPROM writes, various mechanisms have
been built-in. On power-up, WREN is cleared. Also, the
Power-up Timer (64 ms duration) prevents EEPROM
write.
The write initiate sequence and the WREN bit together
help prevent an accidental write during:
Brown-out
Power Glitch
Software Malfunction
11.2.4
DATA EEPROM OPERATION
DURING CODE-PROTECT
Data memory can be code-protected by programming
the CPD bit in the Configuration Words to ‘0’.
When the data memory is code-protected, only the
CPU is able to read and write data to the data
EEPROM. It is recommended to code-protect the
program memory when code-protecting data memory.
This prevents anyone from replacing your program with
a program that will access the contents of the data
EEPROM.
Note:
Data EEPROM can be read regardless of
the setting of the CPD bit.
BANKSEL EEADRL
;
MOVLW
DATA_EE_ADDR ;
MOVWF
EEADRL
;Data Memory
;Address to read
BCF
EECON1, CFGS ;Deselect Config space
BCF
EECON1, EEPGD;Point to DATA memory
BSF
EECON1, RD
;EE Read
MOVF
EEDATL, W
;W = EEDATL
相关PDF资料
PDF描述
PIC16LF1936-I/MV IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28UQFN
PIC16LF1937-E/MV IC PIC MCU FLASH 512KX14 40UQFN
PIC16LF1939-I/P IC MCU 8BIT FLASH 40-DIP
PIC16LF1946T-I/MR MCU 8BIT 14KB FLASH 64QFN
PIC16LF1947T-I/MR MCU 8BIT 28KB FLASH 64QFN
相关代理商/技术参数
参数描述
PIC16LF1933T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16LF1933T-I/MV 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB FL 256BRAM 256B EE LCD nanoWatt XLP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16LF1933T-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16LF1933T-I/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16LF1934-E/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash, 256B RAM 256B EE LCD 1.8-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*