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参数资料
| 型号： | PK40N512VLQ100 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 29/78页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM CORTEX MCU 512K 144-LQFP |
| 产品培训模块： | Kinetis® Cortex-M4 Microcontroller Family |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Kinetis |
| 核心处理器： | ARM? Cortex?-M4 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，IrDA，SDHC，SPI，UART/USART，USB，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 98 |
| 程序存储器容量： | 512KB（512K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 33x16b，D/A 2x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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Table 21. Flash command timing specifications (continued)
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
teewr16bers Word-write to erased FlexRAM location
execution time
—
175
260
μs
teewr16b32k
teewr16b64k
teewr16b128k
teewr16b256k
Word-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
385
475
650
1000
1800
2000
2400
3200
μs
Longword-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr32bers Longword-write to erased FlexRAM location
execution time
—
360
540
μs
teewr32b32k
teewr32b64k
teewr32b128k
teewr32b256k
Longword-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
630
810
1200
1900
2050
2250
2675
3500
μs
1. Assumes 25 MHz flash clock frequency.
2. Maximum times for erase parameters based on expectations at cycling end-of-life.
3. For byte-writes to an erased FlexRAM location, the aligned word containing the byte must be erased.
6.4.1.3 Flash high voltage current behaviors
Table 22. Flash high voltage current behaviors
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
IDD_PGM
Average current adder during high voltage
flash programming operation
—
2.5
6.0
mA
IDD_ERS
Average current adder during high voltage
flash erase operation
—
1.5
4.0
mA
6.4.1.4 Reliability specifications
Table 23. NVM reliability specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.1
Max.
Unit
Notes
Program Flash
tnvmretp10k Data retention after up to 10 K cycles
5
50
—
years
tnvmretp1k Data retention after up to 1 K cycles
20
100
—
years
nnvmcycp Cycling endurance
10 K
50 K
—
cycles
Data Flash
tnvmretd10k Data retention after up to 10 K cycles
5
50
—
years
Table continues on the next page...
Peripheral operating requirements and behaviors
K40 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 7, 02/2013.
Freescale Semiconductor, Inc.
35
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PDF描述 |
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参数描述 |
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