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参数资料
| 型号： | PK60N256VLL100 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 29/76页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM CORTEX MCU 256K 100-LQFP |
| 产品培训模块： | Kinetis® Cortex-M4 Microcontroller Family |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Kinetis |
| 核心处理器： | ARM? Cortex?-M4 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，SDHC，SPI，UART/USART，USB，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 66 |
| 程序存储器容量： | 256KB（256K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 64K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 25x16b，D/A 1x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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1. Assumes 25 MHz flash clock frequency.
2. Maximum times for erase parameters based on expectations at cycling end-of-life.
3. For byte-writes to an erased FlexRAM location, the aligned word containing the byte must be erased.
6.4.1.3 Flash high voltage current behaviors
Table 22. Flash high voltage current behaviors
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
IDD_PGM
Average current adder during high voltage
flash programming operation
—
2.5
6.0
mA
IDD_ERS
Average current adder during high voltage
flash erase operation
—
1.5
4.0
mA
6.4.1.4 Reliability specifications
Table 23. NVM reliability specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.1
Max.
Unit
Notes
Program Flash
tnvmretp10k Data retention after up to 10 K cycles
5
50
—
years
tnvmretp1k Data retention after up to 1 K cycles
20
100
—
years
nnvmcycp Cycling endurance
10 K
50 K
—
cycles
Data Flash
tnvmretd10k Data retention after up to 10 K cycles
5
50
—
years
tnvmretd1k Data retention after up to 1 K cycles
20
100
—
years
nnvmcycd Cycling endurance
10 K
50 K
—
cycles
FlexRAM as EEPROM
tnvmretee100 Data retention up to 100% of write endurance
5
50
—
years
tnvmretee10 Data retention up to 10% of write endurance
20
100
—
years
nnvmwree16
nnvmwree128
nnvmwree512
nnvmwree4k
nnvmwree32k
Write endurance
EEPROM backup to FlexRAM ratio = 16
EEPROM backup to FlexRAM ratio = 128
EEPROM backup to FlexRAM ratio = 512
EEPROM backup to FlexRAM ratio = 4096
EEPROM backup to FlexRAM ratio =
32,768
35 K
315 K
1.27 M
10 M
80 M
175 K
1.6 M
6.4 M
50 M
400 M
—
writes
1. Typical data retention values are based on measured response accelerated at high temperature and derated to a constant
25°C use profile. Engineering Bulletin EB618 does not apply to this technology. Typical endurance defined in Engineering
Bulletin EB619.
2. Cycling endurance represents number of program/erase cycles at -40°C ≤ Tj ≤ 125°C.
3. Write endurance represents the number of writes to each FlexRAM location at -40°C ≤Tj ≤ 125°C influenced by the cycling
endurance of the FlexNVM (same value as data flash) and the allocated EEPROM backup per subsystem. Minimum and
typical values assume all byte-writes to FlexRAM.
Peripheral operating requirements and behaviors
K60 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 7, 02/2013.
Freescale Semiconductor, Inc.
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PDF描述 |
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