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参数资料
| 型号： | PM45100K |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N沟道功率MOSFET模块) |
| 中文描述： | 硅N沟道功率场效应晶体管模块（不适用沟道功率MOSFET的模块） |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | PM45100K |
PM45100K
2
Outline
LF-K
Equivalent Circuit
No
S1
D1
S2
D2
G1
S1
G2
S2
Electrode
Source 1
Drain 1
Source 2
Drain 2
Gate 1
Source 1
Gate 2
Source 2
Terminals
M5 screw
#110
Remarks
Power terminal
Signal terminals
D2
S2
D1
G2 S2 S1
G1
S1
D1
S1/D2
S2
G1
S1
G2
S2
Rg
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Per FET chip)
Item
Symbol
Rating
Unit
Drain source voltage
V
(BR)DSS
450
V
Gate source voltage
V
(BR)GSS
±30
V
Drain current
I
D
100
A
Drain peak current
I
D(peak)
240
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
100
A
Body to drain diode reverse peak current
I
DR(peak)
240
A
Channel dissipation
Pch*
1
400
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–45 to +125
°C
Insulation dielectric
Viso*
2
2000
Vrms
Notes 1. Value at Ta = 25°C
2. Base to terminals AC minute
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PM45502C | Silicon N-Channel Power MOS FET Module |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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