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参数资料
| 型号： | PM45100K |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N沟道功率MOSFET模块) |
| 中文描述： | 硅N沟道功率场效应晶体管模块（不适用沟道功率MOSFET的模块） |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | PM45100K |
PM45100K
6
10
1
100
0.1
1
10
Drain Current I (A)
D
Forward
Admittance
|
y
|
(S)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
V
= 10 V
DS
Pulse Test
Ta = –25°C
25°C
75°C
V
= 10 V
DS
Pulse Test
100
fs
100
10
0.1
1
Reverse Drain Current I
(A)
DR
Reverse
Recovery
Time
t
(ns)
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
GS
30
300
100
di/dt = 100A/ s, V
= 0 V
Pulse Test
10
1000
rr
100000
10000
1000
100
10
0
Drain to Source Voltage V
(V)
10
20
30
DS
Capacitance
C
(pF)
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
V
= 10 V
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
GS
40
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PDF描述 |
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