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参数资料
| 型号： | PM45100K |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N沟道功率MOSFET模块) |
| 中文描述： | 硅N沟道功率场效应晶体管模块（不适用沟道功率MOSFET的模块） |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | PM45100K |
PM45100K
7
500
400
300
200
100
0
80
160
240
320
400
20
16
12
8
4
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
Dynamic Input Characteristics
VDS
V
= 100 V
DD
200 V
300 V
VGS
I = 50 A
Pulse Test
D
V
= 300 V
DD
200 V
100 V
1000
100
10
0.1
1
Drain Current I (A)
D
Switching
Time
t
(ns)
Switching Characteristics
t
V
= 10 V
duty < 1%
GS
d (on)
d (off)
r
f
10
100
3000
300
30
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
(V)
SD
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V
= 0, –5 V
GS
V
= 10 V
GS
1
0.1
0.01
0.001
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulth Width PW (s)
PDM
T
D =
T
PW
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
(t)γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.02
0.01
1 shot
pulse
θ ch – C (t) = (t) ch – C
ch – C = 0.312°C/W, T = 25°C
θ
γ
θ
PW
0.05
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PM45502C | Silicon N-Channel Power MOS FET Module |
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参数描述 |
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