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参数资料
| 型号： | PMBD353/T3 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | PMBD353/T3 |
2001 Oct 15
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier double diode
PMBD353
FEATURES
Low forward voltage
Small SMD package
Low capacitance.
APPLICATIONS
UHF mixer
Sampling circuits
Modulators
Phase detection.
DESCRIPTION
Planar Schottky barrier double diode
in a SOT23 small plastic SMD
package.
MARKING
Note
1.
= p: Made in Hong Kong.
= t: Made in Malaysia.
= W: Made in China.
TYPE NUMBER
MARKING
CODE(1)
PMBD353
4F
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
cathode k1
2
anode a2
3
common connection a1, k2
Fig.1
Simplified outline (SOT23) pin configuration and symbol.
handbook, 2 columns
MGC487
12
3
handbook, 2 columns
2
1
3
MGC421
Top view
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VR
continuous reverse voltage
4
V
IF
continuous forward current
30
mA
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
100
°C
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PDF描述 |
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