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参数资料
| 型号： | PMBD353/T3 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | PMBD353/T3 |
2001 Oct 15
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier double diode
PMBD353
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: tp = 300 μs; δ = 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SOT23 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see Fig.2
IF = 0.1 mA
350
mV
IF = 1 mA
450
mV
IF = 10 mA
600
mV
IR
reverse current
0.25
μA
Cd
diode capacitance
1
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
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