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参数资料
| 型号： | PMBD353/T3 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | PMBD353/T3 |
2001 Oct 15
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier double diode
PMBD353
GRAPHICAL DATA
(1) Tamb = 100 °C.
(2) Tamb = 60 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
(4) Tamb = 40 °C.
handbook, halfpage
102
10
1
0
MLC795
600
800
400
200
VF (mV)
101
102
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) Tamb = 100 °C.
(2) Tamb = 60 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
(4) Tamb = 40 °C.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
10 4
10 3
10 2
10
1
10 1
0
MLC796
2
13
V (V)
I R
(nA)
R
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C.
handbook, halfpage
01
2
3
4
0.4
0.8
MLC797
0.7
0.6
0.5
V
(V)
R
C d
(pF)
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