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参数资料
| 型号： | PMEG3002AEB,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 95K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 480mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 10V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
     2002 May 06 2 NXP Semiconductors Product data sheet Low VF MEGA Schottky barrier diode PMEG3002AEB FEATURES ? Forward current: 0.2 A ? Reverse voltage: 30 V ? Very low forward voltage ? Ultra small SMD package. APPLICATIONS ? Ultra high-speed switching ? High efficiency DC/DC conversion ? Voltage clamping ? Inverse-polarity protection ? Low voltage rectification ? Low power consumption applications. DESCRIPTION Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD523 (SC-79) ultra small SMD plastic package. PINNING PIN DESCRIPTION 1 cathode 2 anode , 4 columns 12 MGU328 Fig.1 Simplified outline (SOD523; SC-79) and symbol. Marking code: B1. The marking bar indicates the cathode. LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage ? 30 V IF continuous forward current ? 200 mA IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 s; δ ≤ 0.5 ? 300 mA IFSM non-repetitive peak forward current tp = 8.3 ms half sinewave; JEDEC method ? 1 A Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature ? 125 °C Tamb operating ambient temperature ?65 +125 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG3002AEL,315 | SCHOTTKY RECT 30V 0.2A SOD882 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3002AEL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 0.2A,PMEG3002AEL |
| PMEG3002AEL,315 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 0.2A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3002AEL315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD323F |
| PMEG3002AELD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHO RECT 30V 0.2A SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHO RECT, 30V, 0.2A, SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHO RECT, 30V, 0.2A, SOD882D, Diode Type:Schottky, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V, Forward Current If(AV):200mA, Forward Voltage VF Max:480mV, Forward Surge Current Ifsm Max:3A , RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3002AELD,315 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Diode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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