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参数资料
| 型号： | PMEG3002AELD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 792K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882D |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 480mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7530-6 |
              1. Product profile 1.1 General description Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD882D leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. 1.2 Features and benefits 1.3 Applications ∨ Low voltage rectification ∨ High efficiency DC-to-DC conversion ∨ Switch Mode Power Supply (SMPS) ∨ Reverse polarity protection ∨ Low power consumption applications ∨ Ultra high-speed switching 1.4 Quick reference data [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. [2] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. PMEG3002AELD 30 V, 0.2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier Rev. 1 — 19 April 2011 Product data sheet ∨ Forward current: IF ≤0.2 A ∨ AEC-Q101 qualified ∨ Reverse voltage: VR ≤30 V ∨ Solderable side pads ∨ Low forward voltage: VF ≤480 mV ∨ Package height typ. 0.37 mm ∨ Ultra small and leadless SMD plastic package Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF(AV) average forward current square wave; δ = 0.5; f = 20 kHz Tamb ≤ 125 °C [1] --0.2A Tsp ≤ 140 °C --0.2A IR reverse current VR =10V - 3.5 10 μA VR reverse voltage - - 30 V VF forward voltage IF =200mA [2] - 430 480 mV |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3002AESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:470mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.37ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:80μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:22pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:1 |
| PMEG3002EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOT RECT 30V 0.2A SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT RECT, 30V, 0.2A, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT RECT, 30V, 0.2A, SOD323, Diode Type:Schottky, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V, Forward Current If(AV):200mA, Forward Voltage VF Max:480mV, Forward Surge Current Ifsm Max:2.75A , RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3002EJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 0.2A 2-Pin Diode Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3002EJ115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PMEG3002ESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:535mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.42ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:21pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:1 |
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