- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录139 > PMEG3002AELD,315 (NXP Semiconductors)DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882D Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | PMEG3002AELD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 14/14页 |
| 文件大小： | 792K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882D |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 480mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7530-6 |
          PMEG3002AELD All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2011. All rights reserved. Product data sheet Rev. 1 — 19 April 2011 9 of 14 NXP Semiconductors PMEG3002AELD 30 V, 0.2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier 8. Test information The current ratings for the typical waveforms as shown in Figure 10, 11, 12 and 13 are calculated according to the equations: with IIFAV()= IM ×δ M defined as peak current, FAV() at DC, and with I IRMS = IM ×δ RMS defined as RMS current. 8.1 Quality information This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is suitable for use in automotive applications. (1) IR =1mA Fig 14. Reverse recovery time test circuit and waveforms trr (1) + I F t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR + IF × RS RS = 50 Ω IF D.U.T. Ri = 50 Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 Fig 15. Duty cycle definition = t1 t2 P t 006aaa812 duty cycle δ t1 t2 IRMS = I |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG3002EJ,115 | SCHOTTKY RECT 30V 200MA SC-90 |
| PMEG3005EB,115 | SCHOTTKY RECT 30V 0.5A SS-MINI |
| PMEG3005EJ,115 | SCHOTTKY RECT 30V 0.5A SOD323F |
| PMEG3005ELD,315 | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD882D |
| PMEG3010BEP,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3002AESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:470mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.37ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:80μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:22pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:1 |
| PMEG3002EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOT RECT 30V 0.2A SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT RECT, 30V, 0.2A, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT RECT, 30V, 0.2A, SOD323, Diode Type:Schottky, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V, Forward Current If(AV):200mA, Forward Voltage VF Max:480mV, Forward Surge Current Ifsm Max:2.75A , RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3002EJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 0.2A 2-Pin Diode Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3002EJ115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PMEG3002ESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:535mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.42ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:21pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。