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参数资料
| 型号： | PMEG3010BEP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 170pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 1. Product pro?le 1.1 General description Planar Maximum Ef?ciency General Application (MEGA) Schottky barrier recti?er with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD128 small and ?at lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features n Average forward current: IF(AV) ≤ 1A n Reverse voltage: VR≤ 30 V n Low forward voltage n High power capability due to clip-bond technology n AEC-Q101 quali?ed n Small and ?at lead SMD plastic package 1.3 Applications n Low voltage recti?cation n High ef?ciency DC-to-DC conversion n Switch Mode Power Supply (SMPS) n Reverse polarity protection n Low power consumption applications 1.4 Quick reference data [1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al2O3, standard footprint. PMEG3010BEP 1 A low VF MEGA Schottky barrier recti?er Rev. 01 — 20 April 2009 Product data sheet Table 1. Quick reference data Tj=25°C unless otherwise speci?ed. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF(AV) average forward current square wave; δ = 0.5; f=20kHz Tamb ≤ 120 °C [1] --1A Tsp ≤ 140 °C --1A VR reverse voltage - - 30 V VF forward voltage IF = 1 A - 405 450 mV IR reverse current VR =30V - 15 50 μA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010BER | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE RECT SCH 30V 1A SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):1A; Forward Voltage VF Max:450mV; Forward Surge Current Ifsm Max:50A; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3010BER,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SHOTTKY LOW VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 1A,PMEG3010BEV |
| PMEG3010BEV T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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