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参数资料
| 型号： | PMEG3010BEP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 170pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 PMEG3010BEP_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 20 April 2009 7 of 13 NXP Semiconductors PMEG3010BEP 1 A low VF MEGA Schottky barrier recti?er Tj = 150 °C (1) δ = 0.1 (2) δ = 0.2 (3) δ = 0.5 (4) δ =1 Tj = 125 °C (1) δ =1 (2) δ = 0.9 (3) δ = 0.8 (4) δ = 0.5 Fig 7. Average forward power dissipation as a function of average forward current; typical values Fig 8. Average reverse power dissipation as a function of reverse voltage; typical values FR4 PCB, standard footprint Tj = 150 °C (1) δ = 1; DC (2) δ = 0.5; f = 20 kHz (3) δ = 0.2; f = 20 kHz (4) δ = 0.1; f = 20 kHz FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2 Tj = 150 °C (1) δ = 1; DC (2) δ = 0.5; f = 20 kHz (3) δ = 0.2; f = 20 kHz (4) δ = 0.1; f = 20 kHz Fig 9. Average forward current as a function of ambient temperature; typical values Fig 10. Average forward current as a function of ambient temperature; typical values 006aab462 IF(AV) (A) 0.0 1.50.5 1.0 0.2 0.3 0.1 0.4 0.5 PF(AV) (W) 0.0 (1) (2) (3) (4) 006aab442 VR (V) 03010 20 0.10 0.15 0.05 0.20 0.25 PR(AV) (W) 0.00 (1) (2) (4) (3) Tamb ( °C) 0 50 100 150 17525 75 125 006aab463 0.5 1.0 1.5 IF(AV) (A) 0.0 (1) (2) (3) (4) Tamb ( °C) 0 50 100 150 17525 75 125 006aab464 0.5 1.0 1.5 IF(AV) (A) 0.0 (1) (2) (3) (4) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PMEG3010BER | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE RECT SCH 30V 1A SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):1A; Forward Voltage VF Max:450mV; Forward Surge Current Ifsm Max:50A; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3010BER,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SHOTTKY LOW VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 1A,PMEG3010BEV |
| PMEG3010BEV T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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