- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录139 > PMEG3010BEP,115 (NXP Semiconductors)SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | PMEG3010BEP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 170pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 PMEG3010BEP_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 20 April 2009 9 of 13 NXP Semiconductors PMEG3010BEP 1 A low VF MEGA Schottky barrier recti?er 8. Test information The current ratings for the typical waveforms as shown in Figure 9, 10, 11 and 12 are calculated according to the equations: with IIFAV()= IM ×δ M de?ned as peak current, FAV() at DC, and with I IRMS = IM ×δ RMS de?ned as RMS current. 8.1 Quality information This product has been quali?ed in accordance with the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q101 - Stress test quali?cation for discrete semiconductors , and is suitable for use in automotive applications. 9. Package outline Fig 13. Duty cycle de?nition = t1 t2 P t 006aaa812 duty cycle d t1 t2 IRMS = I Fig 14. Package outline SOD128 07-09-12 Dimensions in mm 1.1 0.9 0.22 0.10 0.6 0.3 5.0 4.4 4.0 3.6 1.9 1.6 2.7 2.3 1 2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG3010BER,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W |
| PMEG3010CEJ,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1A SOD323F |
| PMEG3010EP,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
| PMEG3010ER,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W |
| PMEG3010ET,215 | SCHOTTKY RECT 30V 1A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010BER | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE RECT SCH 30V 1A SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):1A; Forward Voltage VF Max:450mV; Forward Surge Current Ifsm Max:50A; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3010BER,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SHOTTKY LOW VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 1A,PMEG3010BEV |
| PMEG3010BEV T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。