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参数资料
| 型号： | PMEG3010BEP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 170pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 PMEG3010BEP_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 20 April 2009 2 of 13 NXP Semiconductors PMEG3010BEP 1 A low VF MEGA Schottky barrier recti?er 2. Pinning information [1] The marking bar indicates the cathode. 3. Ordering information 4. Marking 5. Limiting values Table 2. Pinning Pin Description Simpli?ed outline Graphic symbol 1 cathode [1] 2 anode 12 sym001 12 Table 3. Ordering information Type number Package Name Description Version PMEG3010BEP - plastic surface-mounted package; 2 leads SOD128 Table 4. Marking codes Type number Marking code PMEG3010BEP A2 Table 5. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VR reverse voltage Tj=25°C - 30 V IF(AV) average forward current square wave; δ = 0.5; f=20kHz Tamb ≤ 120 °C [1] -1A Tsp ≤ 140 °C-1A IFSM non-repetitive peak forward current square wave; tp =8ms [2] -50A Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C [3][4] - 625 mW [3][5] - 1050 mW [3][1] - 2100 mW |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG3010BER,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W |
| PMEG3010CEJ,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1A SOD323F |
| PMEG3010EP,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
| PMEG3010ER,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010BER | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE RECT SCH 30V 1A SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):1A; Forward Voltage VF Max:450mV; Forward Surge Current Ifsm Max:50A; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3010BER,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SHOTTKY LOW VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 1A,PMEG3010BEV |
| PMEG3010BEV T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010BEV,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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