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参数资料
| 型号： | PMEG3002AELD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 792K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882D |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 480mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7530-6 |
                 PMEG3002AELD All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2011. All rights reserved. Product data sheet Rev. 1 — 19 April 2011 6 of 14 NXP Semiconductors PMEG3002AELD 30 V, 0.2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. [2] When switched from IF = 10 mA to IR =10mA; RL = 100 Ω; measured at IR =1mA. Table 7. Characteristics Tamb =25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage [1] IF = 0.1 mA - 120 190 mV IF = 1 mA - 180 250 mV IF = 10 mA - 250 300 mV IF = 100 mA - 355 400 mV IF = 200 mA - 430 480 mV IR reverse current VR =10V - 3.5 10 μA VR=30V - 12 50 μA Cd diode capacitance VR =1V; f=1MHz - 18 25 pF trr reverse recovery time [2] -6-ns (1) Tj = 150 °C (2) Tj = 125 °C (3) Tj =85°C (4) Tj =25°C (5) Tj = ?40 °C (1) Tj = 150 °C (2) Tj = 125 °C (3) Tj =85°C (4) Tj =25°C (5) Tj = ?40 °C Fig 5. Forward current as a function of forward voltage; typical values Fig 6. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values 006aac584 10–2 10–3 1 10–1 10 IF (A) 10–4 VF (V) 0.0 1.00.2 0.4 0.6 0.8 (1) (2) (3) (4) (5) 006aac585 VR (V) 03010 20 10–1 IR (A) 10–2 10–3 10–4 10–5 10–6 10–7 10–8 (1) (2) (3) (4) (5) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG3002EJ,115 | SCHOTTKY RECT 30V 200MA SC-90 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3002AESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:470mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.37ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:80μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:22pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:1 |
| PMEG3002EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOT RECT 30V 0.2A SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT RECT, 30V, 0.2A, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT RECT, 30V, 0.2A, SOD323, Diode Type:Schottky, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V, Forward Current If(AV):200mA, Forward Voltage VF Max:480mV, Forward Surge Current Ifsm Max:2.75A , RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3002EJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 0.2A 2-Pin Diode Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3002EJ115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PMEG3002ESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:535mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.42ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:21pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:1 |
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