参数资料
型号: PMEG3002AEB,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 4/7页
文件大小: 95K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD523
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 480mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 10V
电容@ Vr, F: 25pF @ 1V,1MHz
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
2002 May 06 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low VF
MEGA Schottky barrier diode
PMEG3002AEB
GRAPHICAL DATA
104handbook, halfpage
1
(V)
1
0
0.2 0.4 0.6
IF
(mA)
0.8
VF
103
102
10
MHC187
(1)
(2)
(3)
Fig.2 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) Tamb
= 125
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
104handbook, halfpage
1
020V
30
R
(V)
10
IR
(μA)
103
102
10
MHC188
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
(1) Tamb
= 125
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
handbook, halfpage40
0102030V
R
(V)
Cd
35
(pF)
30
10
0
20
25
5
15
MHC189
Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tamb
= 25
°C.
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