参数资料
型号: PMEG3010BER,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 11/13页
文件大小: 91K
描述: SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 450mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 30V
电容@ Vr, F: 170pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123W
供应商设备封装: SOD123W
包装: 标准包装
其它名称: 568-6512-6
PMEG3010BER_1
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 20 April 2009 7 of 13
NXP Semiconductors
PMEG3010BER
1 A low VF
MEGA Schottky barrier recti?er
Tj
= 150
°C
(1)
δ
= 0.1
(2)
δ
= 0.2
(3)
δ
= 0.5
(4)
δ
=1
Tj
= 125
°C
(1)
δ
=1
(2)
δ
= 0.9
(3)
δ
= 0.8
(4)
δ
= 0.5
Fig 7. Average forward power dissipation as a
function of average forward current; typical
values
Fig 8. Average reverse power dissipation as a
function of reverse voltage; typical values
FR4 PCB, standard footprint
Tj
= 150
°C
(1)
δ
= 1; DC
(2)
δ
= 0.5; f = 20 kHz
(3)
δ
= 0.2; f = 20 kHz
(4)
δ
= 0.1; f = 20 kHz
FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2
Tj
= 150
°C
(1)
δ
= 1; DC
(2)
δ
= 0.5; f = 20 kHz
(3)
δ
= 0.2; f = 20 kHz
(4)
δ
= 0.1; f = 20 kHz
Fig 9. Average forward current as a function of
ambient temperature; typical values
Fig 10. Average forward current as a function of
ambient temperature; typical values
006aab441
IF(AV)
(A)
0.0 1.50.5
1.0
0.2
0.3
0.1
0.4
0.5
PF(AV)
(W)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
006aab442
VR
(V)
03010
20
0.10
0.15
0.05
0.20
0.25
PR(AV)
(W)
0.00
(1)
(2)
(4)
(3)
Tamb
(
°C)
0 50 100 150 17525
75
125
006aab443
0.5
1.0
1.5
IF(AV)
(A)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
Tamb
(
°C)
0 50 100 150 17525
75
125
006aab444
0.5
1.0
1.5
IF(AV)
(A)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
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