参数资料
型号: PMEG3010BER,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 13/13页
文件大小: 91K
描述: SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 450mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 30V
电容@ Vr, F: 170pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123W
供应商设备封装: SOD123W
包装: 标准包装
其它名称: 568-6512-6
PMEG3010BER_1
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 20 April 2009 9 of 13
NXP Semiconductors
PMEG3010BER
1 A low VF
MEGA Schottky barrier recti?er
8. Test information
The current ratings for the typical waveforms as shown in
Figure
9,
10,
11
and
12
are
calculated according to the equations: with IIFAV()=
IM
×δ
M
de?ned as peak current,
FAV()
at DC, and with I
IRMS
=
IM
×δ
RMS
de?ned as RMS current.
8.1 Quality information
This product has been quali?ed in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard
Q101 - Stress test quali?cation for discrete semiconductors
, and is
suitable for use in automotive applications.
9. Package outline
Fig 13. Duty cycle de?nition
=
t1
t2
P
t
006aaa812
duty cycle d
t1
t2
IRMS
=
I
Fig 14. Package outline SOD123W
08-11-06
Dimensions in mm
2.8
2.4
3.7
3.3
1.05
0.75
1.9
1.5
1
2
0.6
0.3
0.22
0.10
1.1
0.9
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