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参数资料
| 型号： | PN2222A |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN通用晶体管) |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | PN2222A |
PN2222, PN2222A
http://onsemi.com
5
Figure 7. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0.1
Figure 8. Source Resistance Effects
R
S
, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
N
1.0 2.0
5.0 10
20
50
0.2
0.5
0
0.01 0.02
100
N
0.05
R
S
= OPTIMUM
R
S
=
SOURCE
R
S
=
RESISTANCE
I
C
= 1.0 mA, R
S
= 150
500 A, R
S
= 200
100 A, R
S
= 2.0 k
50 A, R
S
= 4.0 k
f = 1.0 kHz
I
C
= 50 A
100 A
500 A
1.0 mA
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0
50
100
200
500
1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
Figure 9. Capacitances
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
3.0
5.0
7.0
10
2.0
0.1
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
0.2 0.3
0.5 0.7
C
cb
20
30
C
eb
Figure 10. Current
Gain Bandwidth Product
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
500
f
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
V
CE
= 20 V
T
J
= 25
°
C
Figure 11. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
V
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 10 V
Figure 12. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.5
0
+0.5
C
1.0
1.5
2.5
°
R
VC
for V
CE(sat)
R
VB
for V
BE
0.1
1.0 2.0
5.0
10 20
50
0.2
0.5
100 200
500 1.0 k
1.0 V
2.0
0.1
1.0 2.0
5.0
10
20
50
0.2
0.5
100 200
500
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