参数资料
型号: PNA2W01
英文描述: PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | LED-8B
中文描述: 光电晶体管|达林顿| 800NM峰值波长| 3000万|发光二极管- 8B条
文件页数: 2/2页
文件大小: 45K
代理商: PNA2W01
2
PNA2W01
Darlington Phototransistors
F
f
μ
s
t
r
— I
CE(L)
10
5
10
4
10
3
10
2
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
10
–1
1
10
10
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
t
f
— I
CE(L)
10
5
10
4
10
3
10
2
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
10
–1
1
10
10
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
P
C
— Ta
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— V
CE
32
24
16
8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— L
10
3
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–1
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
V
= 10V
Ta = 25C
V
= 10V
T = 2856K
I
CE(L)
— Ta
10
2
1
10
Ambient temperature Ta (C )
– 40
0
40
80
120
10
–1
C
C
I
CEO
— Ta
10
2
10
–1
10
10
–2
1
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
μ
A
10
–3
– 20
0
40
80
20
60
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
1 lx
P
C
= 100mW
L = 10 lx
5 lx
2 lx
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
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PDF描述
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