分立半导体产品 SI3407DV-T1-GE3 晶体管

类型：
晶体管

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产品信息

SI3407DV-T1-GE3介绍；

描述 MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述表面贴装 P 沟道 20V 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 63nC @ 10V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1670pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta），4.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 24 毫欧 @ 7.5A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

公司介绍

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