DMP2215L-7介绍;
描述 MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 20 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.3nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍;
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晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。