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参数资料
| 型号： | PS11012 |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 4A |
| 标准包装： | 3 |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电流： | 4A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | 40-DIP 模块 |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <Application Specific Intelligent Power Module>
PS11012
FLAT-BASE TYPE
INSULATED TYPE
Fig. 8 INVERTER OUTPUT ANALOGUE CURRENT SENSING AND SIGNALING CHART
off
N-side IGBT Current
N-side FWDi Current
V CIN
V(hold)
I C
(V S )
V C
V CL
on
on
off
0
+I CL
0
Ref
0
off
on
t(hold)
Delay time
td(read)
–I CL
Fig. 9 START-UP SEQUENCE
Normally at start-up, Fo and CL output signals will be pulled-up
High to Supply voltage (OFF level); however, F O1 output may fall to
Low (ON) level at the instant of the first ON input pulse to an N-Side
IGBT. This can happen particularly when the boot-strap capacitor is
of large size. F O1 resetting sequence (together with the boot-strap
Fig. 10 RECOMMENDED I/O INTERFACE CIRCUIT
5V
ASIPM
charging sequence) is explained in the following graph
5.1k ?
R
U P ,V P ,W P ,U N ,V N ,W N ,Br
DC-Bus voltage
Control voltage supply
Boot-strap voltage
N-Side input signal
V PN 0
V DH 0
V DB
0
V CIN(N)
on
PWM starts
a)
b)
CPU
R
10k ?
0.1nF
0.1nF
F 01 ,F 02 ,F 03 ,CL
CU,CV,CW
GND(Logic)
P-Side input signal
Brake input signal
V CIN(P) on
V CIN(Br) on
F O 1 output signal
F OI
on
a) Boot-strap charging scheme :
Apply a train of short ON pulses at all N-IGBT input pins for ad-
equate charging (pulse width = approx. 20 μ s number of pulses =10
~ 500 depending on the boot-strap capacitor size)
b) F O1 resetting sequence:
Apply ON signals to the following input pins : Br → Un/Vn/Wn →
Up/Vp/Wp in that order.
Jan. 2000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PS11013 | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 8A |
| PS11014 | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 15A |
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| PS11016 | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 30A |
| PS11017 | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 50A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PS11013 | 功能描述:MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 8A RoHS:否 类别:半导体模块 >> 功率驱动器 系列:- 标准包装:15 系列:SPM® 类型:FET 配置:三相反相器 电流:1.8A 电压:500V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-DIP 模块 |
| PS11014 | 功能描述:MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 15A RoHS:否 类别:半导体模块 >> 功率驱动器 系列:- 标准包装:15 系列:SPM® 类型:FET 配置:三相反相器 电流:1.8A 电压:500V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-DIP 模块 |
| PS11015 | 功能描述:MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 20A RoHS:否 类别:半导体模块 >> 功率驱动器 系列:- 标准包装:15 系列:SPM® 类型:FET 配置:三相反相器 电流:1.8A 电压:500V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-DIP 模块 |
| PS11016 | 功能描述:MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 30A RoHS:否 类别:半导体模块 >> 功率驱动器 系列:- 标准包装:15 系列:SPM® 类型:FET 配置:三相反相器 电流:1.8A 电压:500V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-DIP 模块 |
| PS11017 | 功能描述:MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 50A RoHS:否 类别:半导体模块 >> 功率驱动器 系列:- 标准包装:15 系列:SPM® 类型:FET 配置:三相反相器 电流:1.8A 电压:500V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-DIP 模块 |
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