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参数资料
| 型号： | PS501-I/SS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIELD REPROG BATT MGR 28SSOP |
| 标准包装： | 47 |
| 功能： | 充电管理 |
| 电池化学： | 锂离子（Li-Ion）、锂聚合物（Li-Pol） |
| 电源电压： | 5.6 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -20°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SSOP |
| 包装： | 管件 |
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PS501
TABLE 4-1:
V_EOD LOOK-UP TABLE
< -10°
< 0°
< 10°
< 20°
< 30°
< 40°
< 50°
> 50°
< 0.2C
V1
V2
V3
—
< 0.5C
< 0.8C
< 1.1C
< 1.4C
< 1.7C
< 2.0C
> 2.0C
—
V62
V63
V64
Capacity
20%
10%
5%
3%
0%
0%
0%
0%
The above table is an example of the various voltage
values that will signal the shutdown points as a function
of temperature and discharge rate.
Also shown is the amount of capacity left after
shutdown that will compensate RSOC.
EEPROM.
TABLE 4-2:
VALUE NAMES IN THE EEPROM
TEOD(1)
TEOD(2)
TEOD(3)
TEOD(4)
TEOD(5)
TEOD(6)
TEOD(7)
TEOD(8)
CEOD(1)
CEOD(2)
CEOD(3)
CEOD(4)
CEOD(5)
CEOD(6)
CEOD(7)
CEOD(8)
VEOD1(1)
VEOD2(1)
VEOD3(1)
VEOD4(1)
VEOD5(1)
VEOD6(1)
VEOD7(1)
VEOD8(1)
FCCP(1)
VEOD1(2)
VEOD2(2)
VEOD3(2)
VEOD4(2)
VEOD5(2)
VEOD6(2)
VEOD7(2)
VEOD8(2)
FCCP(2)
VEOD1(3)
VEOD2(3)
VEOD3(3)
VEOD4(3)
VEOD5(3)
VEOD6(3)
VEOD7(3)
VEOD8(3)
FCCP(3)
VEOD1(4)
VEOD2(4)
VEOD3(4)
VEOD4(4)
VEOD5(4)
VEOD6(4)
VEOD7(4)
VEOD8(4)
FCCP(4)
VEOD1(5)
VEOD2(5)
VEOD3(5)
VEOD4(5)
VEOD5(5)
VEOD6(5)
VEOD7(5)
VEOD8(5)
FCCP(5)
VEOD1(6)
VEOD2(6)
VEOD3(6)
VEOD4(6)
VEOD5(6)
VEOD6(6)
VEOD7(6)
VEOD8(6)
FCCP(6)
VEOD1(7)
VEOD2(7)
VEOD3(7)
VEOD4(7)
VEOD5(7)
VEOD6(7)
VEOD7(7)
VEOD8(7)
FCCP(7)
VEOD1(8)
VEOD2(8)
VEOD3(8)
VEOD4(8)
VEOD5(8)
VEOD6(8)
VEOD7(8)
VEOD8(8)
FCCP(8)
TABLE 4-3:
VALUE DEFINITIONS IN THE EEPROM
TEOD 8 coded bytes
typ: 5, 20, 35, 50, 80, 113, 150, 150
Range: 1-255 per byte
EOD Temperature boundaries, 8 increasing values of temperature coded as TEODx = (Tcelsius * 10 + 200)/4
CEOD 8 coded bytes
typ: 19, 32, 48, 64, 77, 90, 109,1 09
Range: 1-255
EOC C-rate boundaries, 8 increasing values of C-rates coded:
CEODx = C-rate * (256/28/R F ), where R F is the Rate Factor (R FACTOR ) OTP EPROM parameter.
For R F = 7, CEODx = C-rate * 64. Thus, a value of 32 is one-half C, etc.
FCCP coded %
typ: 50, 25, 12, 8, 0, 0, 0
Range: 1-255
Unusable residual capacity before save to disk, corresponding to temperature, 255 = 100%
VEOD coded
typ: 75
Range: 1-255
End-Of-Discharge voltage, voltage = 2700 + 4 * VEOD. Cell voltage at which save to disk is signaled.
DS21818C-page 12
? 2004 Microchip Technology Inc.
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