参数资料
| 型号： | PS8551L4-V-AX |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR AMP ANALOG 5KRMS 8SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | 隔离 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 差分 |
| -3db带宽： | 100kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 500nA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 16mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 18.6mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | 8-DIP 鸥翼型 |
| 包装： | 散装 |
PS8551L4
Chapter Title
7
1
f
o
6
e
g
a
P
0
.
2
.
v
e
R
0
2
0
J
E
9
3
0
S
D
8
0
R
Sep 06, 2011
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (AC Characteristics)
(TYP.: TA = 25°C, VIN+ = VIN = 0 V, VDD1 = VDD2 = 5 V,
MIN., MAX.: refer to RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
VOUT Bandwidth (3 dB)
fC
VIN+ = 200 mVp-p, sine wave
50
100
kHz
VOUT
N
e
si
o
N
OUT
VIN+
.s
.
m
.r
V
m
5
.
1
3
V
0
=
VIN to VOUT Signal Delay (50 to 10%)
tPD10
VIN+ = 0 to 150 mV step
2.03
3.3
μ
s
VIN to VOUT Signal Delay (50 to 50%)
tPD50
6
.
5
1
0
.
4
VIN to VOUT Signal Delay (50 to 90%)
tPD90
9
.
9
2
0
.
6
VOUT Rise Time/Fall Time (10 to 90%)
tr/tf
VIN+ = 0 to 150 mV step
3.53
6.6
μ
s
Common Mode Transient Immunity*1
CMTI
VCM = 0.5 kV, TA = 25°C
10
25
kV/μs
Power Supply Noise Rejection*2
.s
.
m
.r
V
m
0
1
z
H
M
1
=
f
R
S
P
*1 CMTI is tested by applying a pulse that rises and falls suddenly (VCM = 0.5 kV) between GND1 on the input side
and GND2 on the output side (pins 4 and 5) by using the circuit shown in Fig. 9 CMTI Test Circuit. CMTI is
defined at the point where the differential output voltage (VOUT+ VOUT) fluctuates 200 mV (>1 μs) or more from the
average output voltage.
*2 This is the value of the transient voltage at the differential output when 1 Vp-p, 1 MHz, and 40 ns rise/fall time
square wave is applied to both VDD1 and VDD2.
A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.
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PDF描述 |
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| PUM-3546L-R | MIC CONDENSER ELECT UNI -46+-3DB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PS8601-A | 功能描述:高速光耦合器 Hi-Speed Analog Out RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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