参数资料
| 型号： | PS8551L4-V-AX |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR AMP ANALOG 5KRMS 8SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | 隔离 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 差分 |
| -3db带宽： | 100kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 500nA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 16mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 18.6mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | 8-DIP 鸥翼型 |
| 包装： | 散装 |
PS8551L4
Chapter Title
7
1
f
o
0
1
e
g
a
P
0
.
2
.
v
e
R
0
2
0
J
E
9
3
0
S
D
8
0
R
Sep 06, 2011
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise specified)
3
2
1
0
1
2
3
4.5
4.755
5.25
5.5
–50
–25
0
25
50
75
100
–50
–25
0
25
50
75
100
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
Ambient Temperature TA (°
V
e
g
a
tl
o
V
yl
p
u
S
)
C
DD
(V)
Supply Voltage VDD (V)
Input
Offset
Voltage
V
OS
(mV)
Input
Offset
Voltage
V
OS
(mV)
INPUT OFFSET VOLTAGE vs.
AMBIENT TEMPERATURE
INPUT OFFSET VOLTAGE vs.
SUPPLY VOLTAGE
Ambient Temperature TA (°C)
Gain
G
(V/V)
Gain
G
(V/V)
E
G
A
T
L
O
V
Y
L
P
U
S
.s
v
N
I
A
G
E
R
U
T
A
R
E
P
M
E
T
N
E
I
B
M
A
.s
v
N
I
A
G
NON-LINEARITY vs.
AMBIENT TEMPERATURE
NON-LINEARITY vs.
SUPPLY VOLTAGE
Non-linea
rity
NL200
(%)
Supply Voltage VDD (V)
Ambient Temperature TA (°C)
Non-linea
rity
NL200
(%)
2
1.5
1
0.5
0
0.5
1
1.5
2
8.24
8.2
8.16
8.12
8.08
8.04
8
7.96
7.92
7.88
7.84
7.8
7.76
8.24
8.2
8.16
8.12
8.08
8.04
8
7.96
7.92
7.88
7.84
7.8
7.76
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
VDD1 = VDD2 = 5 V
VIN+ = 200 mV to +200 mV,
VIN = 0 V
VDD1 = VDD2 = 5 V
VIN+ = 200 mV to +200 mV,
VIN = 0 V
VDD1 = VDD2 = 5 V
VIN+ = VIN = 0 V
VIN+ = 200 mV to +200 mV,
VIN = 0 V
VIN+ = 200 mV to +200 mV,
VIN = 0 V
VDD2
VDD1
VDD2
–50
–25
0
25
50
75
100
4.5
4.755
5.25
5.5
4.5
4.755
5.25
5.5
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PS8601-A | 功能描述:高速光耦合器 Hi-Speed Analog Out RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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