参数资料
| 型号： | PS9506L3-AX |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 11/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER IGBT GATE DVR 8SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | NEPOC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 500mA |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 180ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 12mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | 8-SDIP 鸥翼型 |
| 包装： | 散装 |
A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.
Preliminary document
PS9506,PS9506L1,PS9506L2,PS9506L3
Chapter Title
<R>
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C, unless otherwise specified)
50
45
40
35
30
25
20
15
DIODE POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
300
250
200
150
100
DETECTOR POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
10
5
0
0
25
50
75
100
125
50
0
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature T A ( ° C)
Ambient Temperature T A ( ° C)
100
10
1
0.1
FORWARD CURRENT vs.
FORWARD VOLTAGE
T A = +110°C
+100 ° C
+85 ° C
+50 ° C
+25 ° C
0 ° C
–40 ° C
7
6
5
4
3
2
1
THRESHOLD INPUT CURRENT vs.
AMBIENT TEMPERATURE
V CC = 30 V,
V O > 5 V,
I O = 0 mA
1.0
–50
0.01
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0
–25
0
25
50
75
100
125
Forward Voltage V F (V)
Ambient Temperature T A ( ° C)
V CC = 30 V,
35
30
25
20
15
10
5
OUTPUT VOLTAGE vs.
FORWARD CURRENT
V CC = 30 V
HIGH LEVEL OUTPUT VOLTAGE – SUPPLY
VOLTAGE vs. AMBIENT TEMPERATURE
0
–0.5 I F = 10 mA,
I O = –100 mA
–1
–1.5
–2
–2.5
–3
–3.5
–50
0
2
4
6
7
–4
–25
0
25
50
75
100
125
Forward Current I F (mA)
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
R 0 8 D S 0 0 1 8 E J 0 1 0 0 R e v . 1 . 0 0
Nov 10, 2011
Ambient Temperature T A ( ° C)
P a g e 1 1 o f 2 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 74543-5661LF | CONN MOD JACK 6POS 1PORT R/A T/H |
| PJU181610H | BOX FIBER 18.8X17.0X11.0" GREY |
| SMAJ26A | DIODE TVS 26V 400W UNI 5% SMD |
| 94910-001AMLF | 001AMLF R/A 8P GANG JACK |
| 1414N4PHM6 | BOX STEEL 14.0X12.0X6.0" GREY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PS9506L3-E3 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:0.6 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT GATE DRIVE, 8-PIN DIP PHOTOCOUPLER |
| PS9506L3-E3-AX | 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9506L3-V | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:0.6 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT GATE DRIVE, 8-PIN DIP PHOTOCOUPLER |
| PS9506L3-V-AX | 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9506L3-V-E3 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:0.6 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT GATE DRIVE, 8-PIN DIP PHOTOCOUPLER |
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