参数资料
| 型号： | PS9506L3-AX |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 7/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER IGBT GATE DVR 8SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | NEPOC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 500mA |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 180ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 12mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | 8-SDIP 鸥翼型 |
| 包装： | 散装 |
A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.
Preliminary document
PS9506,PS9506L1,PS9506L2,PS9506L3
Chapter Title
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = ? 40 to +110 ° C, V CC = 10 to 30 V, I F (ON) = 8 to
12 mA, V F (OFF) = ? 2 to 0.8 V, V EE = GND, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP. *1
MAX.
Unit
Diode
Forward Voltage
V F
I F = 10 mA, T A = 25 ° C
1.2
1.56
1.8
V
Reverse Current
Input Capacitance
I R
C IN
V R = 3 V, T A = 25 ° C
f = 1 MHz, V F = 0 V, T A = 25 ° C
30
10
μ A
pF
Detector
High Level Output Current
I OH
V O = (V CC ? 4 V) *2
0.2
A
V O = (V CC ? 10 V) *3
0.4
0.5
Low Level Output Current
I OL
V O = (V EE + 2.5 V) *2
0.2
0.4
A
V O = (V EE + 10 V) *3
0.4
0.5
High Level Output Voltage
V OH
I O = ? 100 mA *4
V CC ? 4.0 V CC ? 1.8
V
Low Level Output Voltage
V OL
I O = 1 0 0 m A
0 . 4
1 . 0
V
<R>
<R>
Coupled
High Level Supply Current
Low Level Supply Current
Threshold Input Current
I CCH
I CCL
I FLH
I F = 10 mA, I O = 0 mA
I F = 0 mA, I O = 0 mA
I O = 0 mA, V O > 5 V
0.7
1.2
3.0
3.0
7.0
mA
mA
mA
(L → H)
Threshold Input Voltage
V FHL
I O = 0 mA, V O < 5 V
0.8
V
(H → L)
Isolation Capacitance
C I-O
V F = 0 V, f = 1 MHz, T A = 25 ° C
0.7
pF
Notes: *1.
*2.
*3.
*4.
Typical values at T A = 25 ° C, V CC ? V EE = 30 V.
Maximum pulse width = 50 μ s, Maximum duty cycle = 0.5%.
Maximum pulse width = 10 μ s, Maximum duty cycle = 0.2%.
V OH is measured with the DC load current in this testing.
R 0 8 D S 0 0 1 8 E J 0 1 0 0 R e v . 1 . 0 0
Nov 10, 2011
P a g e 7 o f 2 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 74543-5661LF | CONN MOD JACK 6POS 1PORT R/A T/H |
| PJU181610H | BOX FIBER 18.8X17.0X11.0" GREY |
| SMAJ26A | DIODE TVS 26V 400W UNI 5% SMD |
| 94910-001AMLF | 001AMLF R/A 8P GANG JACK |
| 1414N4PHM6 | BOX STEEL 14.0X12.0X6.0" GREY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PS9506L3-E3 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:0.6 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT GATE DRIVE, 8-PIN DIP PHOTOCOUPLER |
| PS9506L3-E3-AX | 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9506L3-V | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:0.6 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT GATE DRIVE, 8-PIN DIP PHOTOCOUPLER |
| PS9506L3-V-AX | 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9506L3-V-E3 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:0.6 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT GATE DRIVE, 8-PIN DIP PHOTOCOUPLER |
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