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参数资料
| 型号： | PSD8134V20JT |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Flash In-System Programmable ISP Peripherals For 8-bit MCUs |
| 中文描述： | Flash在系统可编程ISP的外设的8位微控制器 |
| 文件页数： | 80/110页 |
| 文件大小： | 1685K |
| 代理商： | PSD8134V20JT |
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PSD813F1
80/110
Table 46. DC Characteristics (3V devices)
Note: 1. Reset (RESET) has hysteresis. V
IL1
is valid at or below 0.2V
CC
–
0.1. V
IH1
is valid at or above 0.8V
CC
.
2. CSI deselected or internal PD is active.
3. I
OUT
= 0mA
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
IH
High Level Input Voltage
3.0V < V
CC
< 3.6V
0.7V
CC
V
CC
+0.5
V
V
IL
Low Level Input Voltage
3.0V < V
CC
< 3.6V
–
0.5
0.8
V
V
IH1
Reset High Level Input Voltage
(Note
1
)
0.8V
CC
V
CC
+0.5
V
V
IL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note
1
)
–
0.5
0.2V
CC
–
0.1
V
V
HYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
V
LKO
V
CC
(min) for Flash Erase and
Program
1.5
2.2
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 20μA, V
CC
= 3.0V
0.01
0.1
V
I
OL
= 4mA, V
CC
= 3.0V
0.15
0.45
V
V
OH
Output High Voltage Except
V
STBY
On
I
OH
=
–
20μA, V
CC
= 3.0V
2.9
2.99
V
I
OH
=
–
1mA, V
CC
= 3.0V
2.7
2.8
V
V
OH1
Output High Voltage V
STBY
On
I
OH1
= 1μA
V
STBY
–
0.8
V
V
STBY
SRAM Stand-by Voltage
2.0
V
CC
V
I
STBY
SRAM Stand-by Current
V
CC
= 0V
0.5
1
μA
I
IDLE
Idle Current (V
STBY
input)
V
CC
> V
STBY
–
0.1
0.1
μA
V
DF
SRAM Data Retention Voltage
Only on V
STBY
2
V
I
SB
Stand-by Supply Current
for Power-down Mode
CSI >V
CC
–
0.3V (Notes
2
)
25
100
μA
I
LI
Input Leakage Current
V
SS
< V
IN
< V
CC
–
1
±0.1
1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0.45 < V
IN
< V
CC
–
10
±5
10
μA
I
CC
(DC)
(Note
3
)
Operating
Supply
Current
ZPLD Only
ZPLD_TURBO = Off,
f = 0MHz (Note
3
)
0
μA/PT
ZPLD_TURBO = On,
f = 0MHz
200
400
μA/PT
Flash memory
or EEPROM
During Flash memory or
EEPROM WRITE/Erase
Only
10
25
mA
Read only, f = 0MHz
0
0
mA
SRAM
f = 0MHz
0
0
mA
I
CC
(AC)
(Note
3
)
ZPLD AC Adder
See
Figure 37., page 73
Flash memory or EEPROM AC
Adder
1.5
2.0
mA/
MHz
SRAM AC Adder
0.8
1.5
mA/
MHz
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