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参数资料
| 型号： | PSD834F4V-70 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals for 8-bit MCUs, 5V |
| 中文描述： | Flash在系统可编程（ISP）的周边8位MCU，5V的 |
| 文件页数： | 72/110页 |
| 文件大小： | 1737K |
| 代理商： | PSD834F4V-70 |
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PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
72/110
AC/DC PARAMETERS
These tables describe the AD and DC parameters
of the PSD:
DC Electrical Specification
AC Timing Specification
PLD Timing
–
Combinatorial Timing
–
Synchronous Clock Mode
–
Asynchronous Clock Mode
–
Input Macrocell Timing
MCU Timing
–
READ Timing
–
WRITE Timing
–
Peripheral Mode Timing
■
■
–
Power-down and Reset Timing
The following are issues concerning the parame-
ters presented:
–
In the DC specification the supply current is
given for different modes of operation. Before
calculating the total power consumption,
determine the percentage of time that the PSD
is in each mode. Also, the supply power is
considerably different if the Turbo Bit is ’0.’
–
The AC power component gives the PLD,
Flash memory, and SRAM mA/MHz
specification. Figures
35
and
36
show the PLD
mA/MHz as a function of the number of
Product Terms (PT) used.
–
In the PLD timing parameters, add the
required delay when Turbo Bit is ’0.’
Figure 35. PLD I
CC
/Frequency Consumption (5V range)
110
Figure 36. PLD I
CC
/Frequency Consumption (3V range)
0
10
20
30
40
60
70
80
90
100
V
CC
= 5V
TURBO ON (100%)
50
0
10
15
5
20
25
HIGHEST COMPOSITE FREQUENCY AT PLD INPUTS (MHz)
I
C
TURBO ON (25%)
TURBOOFF
TURBO OFF
PT 100%
PT 25%
AI02894
0
10
20
30
40
50
60
V
CC
= 3V
0
10
15
5
20
25
I
C
TURBO ON (100%)
TURBO ON (25%)
TURBOOFF
TURBO OFF
HIGHEST COMPOSITE FREQUENCY AT PLD INPUTS (MHz)
PT 100%
PT 25%
AI03100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PSD835G2-70U | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2-90UI | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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