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参数资料
型号： PSD834F4V-70
厂商： 意法半导体
英文描述： Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals for 8-bit MCUs, 5V
中文描述： Flash在系统可编程（ISP）的周边8位MCU，5V的
文件页数： 92/110页
文件大小： 1737K
代理商： PSD834F4V-70
PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
92/110
Table 58. WRITE Timing (3V devices)
Note: 1. Any input used to select an internal PSD function.
2. In multiplexed mode, latched address generated from ADIO delay to address output on any port.
3. WR has the same timing as E, LDS, UDS, WRL, and WRH signals.
4. Assuming data is stable before active WRITE signal.
5. Assuming WRITE is active before data becomes valid.
6. TWHAX2 is the address hold time for DPLD inputs that are used to generate Sector Select signals for internal PSD memory.
Table 59. Program, WRITE and Erase Times (5V devices)
Symbol
Note: 1. Programmed to all zero before erase.
2. The polling status, DQ7, is valid tQ7VQV time units before the data byte, DQ0-DQ7, is valid for reading.
Symbol
Parameter
Conditions
-12
-15
-20
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
LVLX
ALE or AS Pulse Width
26
26
30
t
AVLX
Address Setup Time
(Note
1
)
9
10
12
ns
t
LXAX
Address Hold Time
(Note
1
)
9
12
14
ns
t
AVWL
Address Valid to Leading
Edge of WR
(Notes
1,3
)
17
20
25
ns
t
SLWL
CS Valid to Leading Edge of WR
(Note
3
)
17
20
25
ns
t
DVWH
WR Data Setup Time
(Note
3
)
45
45
50
ns
t
WHDX
WR Data Hold Time
(Note
3
)
7
8
10
ns
t
WLWH
WR Pulse Width
(Note
3
)
46
48
53
ns
t
WHAX1
Trailing Edge of WR to Address Invalid
(Note
3
)
10
12
17
ns
t
WHAX2
Trailing Edge of WR to DPLD Address
Invalid
(Note
3,6
)
0
0
0
ns
t
WHPV
Trailing Edge of WR to Port Output
Valid Using I/O Port Data Register
(Note
3
)
33
35
40
ns
t
DVMV
Data Valid to Port Output Valid
Using Macrocell Register Preset/Clear
(Notes
3,5
)
70
70
80
ns
t
AVPV
Address Input Valid to Address
Output Delay
(Note
2
)
33
35
40
ns
t
WLMV
WR Valid to Port Output Valid Using
Macrocell Register Preset/Clear
(Notes
3,4
)
70
70
80
ns
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Flash Program
8.5
s
Flash Bulk Erase
1
(pre-programmed)
3
30
s
Flash Bulk Erase (not pre-programmed)
5
s
t
WHQV3
Sector Erase (pre-programmed)
1
30
s
t
WHQV2
Sector Erase (not pre-programmed)
2.2
s
t
WHQV1
Byte Program
14
1200
μs
Program / Erase Cycles (per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
Sector Erase Time-Out
100
μs
t
Q7VQV
DQ7 Valid to Output (DQ7-DQ0) Valid (Data Polling)
2
30
ns
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PDF描述
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参数描述
PSD835G2-70U 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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