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参数资料
| 型号： | PT100MC0MP1 |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR CLEAR LENS SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 900nm |
| 视角： | 30° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 通用 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，无引线 |
| 其它名称： | 425-2648-6 |
PT100MC0MPx
■ Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Soldering temperature *1
Symbol
V CEO
V ECO
I C
P C
Topr
Tstg
Tsol
Rating
35
6
20
75
-30 to +85
-40 to +95
240
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
*
1 Within 10 s (MAX.) see reflow profile in Fig. 10.
■ Electro-optical Charactertistics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector current
Collector dark current
Symbol
I C
I CEO
Conditions *1
Ee = 1 mW/cm 2 , V CE = 5 V
Ee = 0, V CE = 20 V
MIN.
1.7
–
TYP.
2.9
1.0
MAX.
5.1
100
Unit
mA
nA
Collector-emitter saturation voltage
V CE (sat)
Ee = 10
mW/cm 2 ,
I C = 0.5 mA
–
0.1
0.4
V
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-collector breakdown voltage
Peak sensitivity wavelength
Response time (Rise)
Response time (Fall)
Angle of half intensity
BV CEO
BV ECO
λ p
tr
tf
Δθ
I C = 0.1 mA, Ee = 0
I E = 0.01 mA, Ee = 0
–
V CE = 2 V, I C = 2 mA,
R L = 100 Ω
–
35
6
–
–
–
–
–
–
900
5.0
6.0
±15
–
–
–
–
–
–
V
V
nm
μs
μs
degrees
* 1 Ee: Irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp)
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
8 0
75
70
60
50
40
30
20
15
10
0
Fig. 2 Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
10 -6
V CE = 20 V
10 -7
10 - 8
10 -9
-30
0
25
50
75 8 5
100
10 -10
0
25
50
75
8 5
100
Am b ient temperat u re Ta (°C)
3
Am b ient temperat u re Ta (°C)
Sheet No.: D1-A01701EN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT100MF0MP1 | PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD |
| PT100MF1MP1 | PHOTOTRANS DARL OUT CLEAR SMD |
| PT103G2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20C |
| PT103J2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20 C |
| PT104J2 | THERMISTOR 100K OHM +/-0.20 C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PT100MF0MP | 功能描述:光电晶体管 SMT Phototransistor 15 910nm 3.45mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100MF0MP1 | 功能描述:光电晶体管 PT 15 910nm 3.45mA 1.5Kpcs RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100MF1MP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| PT100MF1MP1 | 功能描述:光电晶体管 Darlington output Ver of PT100MF0MP1 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100P01 | 制造商:Seiko Instruments Inc (SII) 功能描述: |
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