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参数资料
| 型号： | PT100MC0MP1 |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR CLEAR LENS SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 900nm |
| 视角： | 30° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 通用 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，无引线 |
| 其它名称： | 425-2648-6 |
PT100MC0MPx
Fig. 3 Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
Fig. 5 Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
160
140
V CE = 5 V
Ee = 1m W /cm 2
5
4.5
P C (max)
Ta = 25°C
120
4
E e = 1 mW/cm 2
0.75 m W /cm 2
3.5
100
3
8 0
60
40
20
2.5
2
1.5
1
0.5
0.5 m W /cm 2
0.25 m W /cm 2
0.1 m W /cm 2
0
-50
-30 -25
0
25
50
75 8 5 100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
4 0
Am b ient temperat u re Ta (°C)
Fig. 4 Collector Current vs. Irradiance
Collector-emitter v oltage V CE ( V )
Fig. 6 Relative Sensitivity vs.
100
V CE = 5 V
Ta = 25°C
100
Wavelength (TYP.)
8 0
10
60
1
40
20
0.1
0.01
0.1 1
Irradiance Ee (m W /cm 2 )
10
0
400
500
600
700
8 00
900 1000 1100 1200
W a v elength λ (nm)
Sheet No.: D1-A01701EN
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT100MF0MP1 | PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD |
| PT100MF1MP1 | PHOTOTRANS DARL OUT CLEAR SMD |
| PT103G2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20C |
| PT103J2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20 C |
| PT104J2 | THERMISTOR 100K OHM +/-0.20 C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PT100MF0MP | 功能描述:光电晶体管 SMT Phototransistor 15 910nm 3.45mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100MF0MP1 | 功能描述:光电晶体管 PT 15 910nm 3.45mA 1.5Kpcs RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100MF1MP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| PT100MF1MP1 | 功能描述:光电晶体管 Darlington output Ver of PT100MF0MP1 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100P01 | 制造商:Seiko Instruments Inc (SII) 功能描述: |
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