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参数资料
| 型号： | PT100MF0MP1 |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 910nm |
| 视角： | 30° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 通用 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，无引线 |
| 其它名称： | 425-1007-1 |
PT100MF0MPx
Fig. 3 Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
Fig. 5 Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
160
140
120
V CE = 5 V
Ee = 1m W /cm 2
9
8
7
Pc (max)
Ee = 3 m W /cm 2
2.5 m W /cm 2
Ta = 25°C
6
100
5
1.5 m W /cm 2
2 m W /cm 2
8 0
4
0.75 m W /cm 2
1 m W /cm 2
60
3
0.1 m W /cm 2 0.25 mW/cm
2
0.5 m W /cm 2
40
20
2
1
0
-50
-30 -25
0
25
50
75 8 5 100
0
0
3
6
9
12
1 5
Am b ient temperat u re Ta (°C)
Fig. 4 Collector Current vs. Irradiance
Collector-emitter v oltage V CE ( V )
Fig. 6 Relative Sensitivity vs.
100
10
V CE = 5 V
Ta = 25°C
100
8 0
Wavelength (TYP.)
60
1
40
20
0.1
0.1
1
10
Irradiance E e (m W /cm 2 )
0
400
500
600
700
8 00
900 1000 1100 1200
W a v elength λ (nm)
Sheet No.: D1-A01801EN
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT100MF1MP1 | PHOTOTRANS DARL OUT CLEAR SMD |
| PT103G2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20C |
| PT103J2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20 C |
| PT104J2 | THERMISTOR 100K OHM +/-0.20 C |
| PT11-21C/L41/TR8 | PHOTOTRANSISTOR CLEAR MINI 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PT100MF1MP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| PT100MF1MP1 | 功能描述:光电晶体管 Darlington output Ver of PT100MF0MP1 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100P01 | 制造商:Seiko Instruments Inc (SII) 功能描述: |
| PT100PG | 制造商:Hammond Manufacturing 功能描述: |
| PT100PSIG-13-LI3-H1131 | 制造商:TURCK Inc 功能描述:Sensor, Pressure Transmitter, Scaled In Bar, 0-100 bar (0-1450 psi), H6831459 |
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